CMOS激光位移传感器PL12-S系列
400-9199-520
EN
EN ZH
CMOS激光位移传感器PL12-S系列

CMOS激光位移传感器PL12-S系列

1、光源波长:红色半导体激光655nm
2、光源最大输出功率:1 mW
3、激光等级:2类(Class2)
4、采样周期:9.6ms(高精度)/4.8ms(标准)/1.6ms(高速)
5、RS-485通信规格:MODBUS RTV
技术参数
尺寸规格
电路图
产品应用视频
型号 NPN+485 PL12-S30N-485 PL12-550N-485 PL12-S100N-485 PL12-S200N-485 PL12-S400N-485
PNP+485 PL12-S30P-485 PL12-S50P-485 PL12-S100P-485 PL12-S200P-485 PL12-S400P-485
模拟量(电流/电压)+NPN+485 PL12-S30VN2-485 PL12-S50VN2-485 PL12-S100VN2-485 PL12-5200VN2-485 PL12-S400VN2-485
模拟量(电流/电压)+PNP+485 PL12-S30VP2-485 PL12-S50VP2-485 PL12-S100VP2-485 PL12-S200VP2-485 PL12-S400VP2-485
基准距离 30mm 50mm 100mm 200mm 400mm
检测范围 ±5mm ±15mm ±35mm ±80mm ±200mm
线性精度 ± 0.1%F.S.
(F.S. =10mm)
±0.1%F.S.
(F.S.- 30mm)
±0.1%F.S.
(F.S.-70mm)
±0.2%F.S.
(F.S =160mm)
±0.2%F.S.
(F.S. =400mm)
重复精度 5μm 10μm 30μm 100μm 300μm
(200-400 mm时)
700μm
(400-600mm时)
光点尺寸 φ50μm φ70μm φ150μm φ300μm φ500μm
光源 波长 红色半导体激光655nm
最大输出功率 1mW
激光等级(GB/IEC) 2类(Class2)
采样周期(工作模式) 9.6ms(高精度)/4.8ms(标准)/1.6ms(高速)
温度特性(参考值) 士0.05%F.S./℃
RS-485通信规格 MODBUS RTV
外部输入功能 测量值保持/峰值保持/峰峰值保持/谷值保持/平均值保持/触发上传/激光开关
开关量输出 集电极开路NPN或PNP输出,Max100mA/DC30V,残留电压1.8V
模拟量输出 模拟电流 0-20mA/4-20mA
模拟电压 0-5V/0-10V
电源电压 DC12~24V±10%(脉动P-P10%以下
消耗电流 40mA以下(工作电压24VDC)
保护电路 逆反接保护、过流保护、短路保护
保护等级 IP65
使用环境温度/湿度 -10-45℃/35~85%RH(无结露和结冰)
储存环境温度/湿度 -20~60C/35~85%RH(无结露和结冰)
环境照度 白炽灯:3000Lx以下
耐振动 10~55Hz双振幅1.5mmX,Y、Z方向各2小时
耐冲击 加速度500m/s'(约50G)X,Y、Z方向各3次
材质 外壳压铸铝
连接方式 φ5mm线径,2米,7芯拖链屏蔽线
重量 约85g(含电缆线)